Kester - 熱インターフェイス原材料
Kesterは、ラジエーター/熱交換、ダイ付け、マイクロプロセッサーなど、熱発散適用技術における多種多様の経験を誇ります。
金属・はんだベースソリューションには次のように数多くの利点があります。
- 熱伝導率が高い(表1参照)
- 鉛フリー
- 使用可能な形状因子の豊富性
|
|
適用:
技術の躍進によって電子機器およびセミコンダクター機能の飛躍的革新が推し進められることで、それに応じた技術的改善への需要が熱発散、インターフェイス原材料においても高まりつつあります。次世代を目指した画期的なTIMの非接着性製品を開発すべくKesterはリソースの確保に努力を惜しみません。従来の有機系技術で達成しうる反復的な改善サイクルとしての高性能性適用のよい典型は、マイクロプロセッサーによるものです。KesterのTIMソリューションは、熱発散性能目標を支える次世代TIMとして、究極の相互接続ソリューションということができるでしょう。
|
ダイレベルやTIM2における熱発散のあらゆる課題に対し、Kesterでは次世代適用を可能とする相互接続ソリューションの開発を行っています。
|
| |
注:TIM2は、高活性・低活性のヒートシンクに対する熱の展開/抑制間の熱管理材料ソリューションとして存在するものです。ヒートシンクは、活性度の高低に関わらず、マイクロプロセッサーから発生される熱を発散するために使用されます。 |
|
Kesterが提供するはんだベースの熱管理ソリューション利用のもう一つの側面として、金属酸化セミコンダクターフィールド反応トランジスター(MOSFET)向けのダイ付け領域があります。
Kesterがお届けする高い純度と安定性は世界のセミコンダクターパッケージ企業における事実上の標準仕様になっています。
|
| |
原材料の選択:
Kesterは、105年という永い伝統とともに、金属相互接続ソリューションまたは熱管理原材料を様々な形状に製造するための高い技術力と経験を持つはんだメーカーです。Kesterは、用途に応じた仕様に基づく合成物および化合物を豊富にそろえながら、優れた材料ソリューションの提供能力を備える設備を世界中に配備しています。その材料ソリューションの数々を以下の表にご紹介します。
|
| 金属材料 |
熱伝導率
300KでW/(m*K)
|
| ダイアモンド |
1300-2400 |
| SiC |
611 |
| Ag |
429 |
| Cu |
401 |
| Au |
317 |
BeO
|
250 |
| Al |
240 |
| AlN |
200 |
| W |
180 |
| Zn |
116 |
| Ni |
91 |
| Fe |
84-90 |
| In |
82 |
| Pd |
72 |
| Pt |
72 |
| In90Ag10 |
67 |
| Sn |
66 |
| Au80 Sn20 |
57 |
| Sn63 Pb37 |
50.9 |
| Sn60 Pb40 |
49.8 |
| Sn50 Pb50 |
46.7 |
| Sn62 Pb36 Ag2 |
49 |
| Au88 Ge12 |
44 |
| Sn40 Pb60 |
43.6 |
| Sn30 Pb70 |
40.5 |
| Sn20 Pb80 |
37.4 |
| Sn10 Pb90 |
35.8 |
| Sn5 Pb95 |
35.2 |
| Pb |
35 |
| AI2O3 (96%) |
35 |
| Sn Ag |
33 |
| Sn Sb |
28 |
| Sb |
24 |
| アロイ42 |
15.6 |
| 銀含有相変化 |
3 - 8 |
| ホウ素窒化物含有シリコン |
6 |
| Ag - 含有ダイ付け |
1.3 - 5 |
| モールド化合物 |
0.6 - 0.7 |
| BTエポキシ |
0.19 |
| FR-4 |
0.11 |
| 大気 |
0.03 |
形状およびパッケージ形式の例を参照するときは、ここをクリックしてください。 |